Nd: YVO4 Crystal
Nd: YVO၄ (Neodymium-doped Yttrium Vanadate) သည် diode-pumped solid-state လေဆာရောင်ခြည်အထူးသဖြင့်အနိမ့်နှင့်အလယ်အလတ်စွမ်းအားသိပ်သည်းသောလေဆာရောင်ခြည်များအတွက်အကောင်းဆုံးစီးပွားဖြစ်ရရှိနိုင်သောပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဥပမာ Nd: YVO၄ Hand-point point သို့မဟုတ်အခြားကျစ်လစ်သိပ်သည်းသောလေဆာရောင်ခြည်များတွင်စွမ်းအင်နိမ့်ထုပ်များကိုထုတ်လုပ်ရန် Nd: YAG ထက်ပိုမိုကောင်းမွန်သောရွေးချယ်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤအပလီကေးရှင်းများတွင် Nd: YOV၄ Nd: YAG နှင့် ပတ်သက်၍ အားသာချက်များရှိသည်။ ဥပမာလေဆာရောင်ခြည်ဖြာထွက်မှုနှင့်မြင့်မားသောလှုံ့ဆော်မှုထုတ်လွှတ်မှုအပိုင်းကိုစုပ်ယူသည်။
Nd: YVO၄ ထုတ်လွှတ်မှုလိုင်းသည်၎င်း၏အခြားနည်းလမ်းများထက်အများကြီးပိုမိုအားကောင်းသောကြောင့် 1342 nm မှာမြင့်မားသော polarized output ကိုများအတွက်ကောင်းသောရွေးချယ်မှုဖြစ်ပါတယ်။ Nd: YVO၄ အနီအောက်ရောင်ခြည်မှအစိမ်း၊ အပြာသို့မဟုတ်ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်အထိအလင်းရောင်ထုတ်လုပ်ရန်မြင့်မားသော NLO မြှောက်ဖော်ကိန်း (LBO, BBO, KTP) ရှိသောအချို့သော nonlinear crystals များနှင့်အလုပ်လုပ်နိုင်သည်။
သင်၏ Nd: YVO လျှောက်လွှာအတွက်အကောင်းဆုံးအဖြေအတွက်ကျွန်ုပ်တို့ကိုဆက်သွယ်ပါ၄ ကြည်လင်။
WISOPTIC စွမ်းရည် - Nd: YVO၄
• Nd-doping အချိုးအစားအမျိုးမျိုး (၀.၁% မှ ၃၀၀%) ။
•အရွယ်အစားအမျိုးမျိုး (အများဆုံးအချင်း - ၁၆x ၁၆ မီလီမီတာ)၂; အမြင့်ဆုံးအရှည်: 20 မီလီမီတာ)
•အမျိုးမျိုးသောသုတ်ဆေးများ (AR, HR, HT)
•မြင့်မားသောအပြောင်းအလဲနဲ့တိကျမှန်ကန်မှုကို
•အလွန်ယှဉ်ပြိုင်မှုစျေးနှုန်း, အမြန်ပေးပို့
WISOPTIC စံသတ်မှတ်ချက်များ* - Nd: YVO၄
| doping အချိုး | Nd% = 0.2% ~ 3.0at% |
| အရှေ့တိုင်းဆန်သည်းခံစိတ် | +/- 0.5 ° |
| aperture | 1 × 1 မီလီမီတာ၂~ 16 × 16 မီလီမီတာ၂ |
| အရှည် | 0,02 မီလီမီတာ ~ 20 မီလီမီတာ |
| Dimension သည်းခံစိတ် | (W ± 0.1mm) × (H ± 0.1mm) × (L + 0.5 / -0.1mm) (L≥2.5mm) (W ± 0.1mm) × (H ± 0.1mm) × (L + 0.2 / -0.1mm) (L <2.5mm) |
| ပြားချပ်ချပ် | <λ / 8 @ 632.8 nm (L2.5mm) <λ / 4 @ 632.8 nm (L <2.5mm) |
| မျက်နှာပြင်အရည်အသွေး | <20/10 [S / D] |
| စင်ပြိုင် | <၂၀ " |
| Perpendicularity | ≤ ၅ ' |
| ဖောင်းဖောင်း | 45 ° @ mm 0.2 မီလီမီတာ |
| Wavefront ပုံပျက်ထုတ်လွှင့်သည် | <λ / 4 @ 632,8 nm |
| Clear Aperture | > 90% အလယ်ပိုင်းareaရိယာ |
| ကုတ်အင်္ကျီ | AR @ 1064nm, R ကို <0,1% & HT @ 808nm, T က> 95%; HR @ 1064nm, R ကို> 99.8% & HT @ 808nm, T က> 95%; HR @ 1064nm, R ကို> 99.8%, HR @ 532 nm, R ကို> 99% & HT @ 808 nm, T က> 95% |
| လေဆာရောင်ခြည်ပျက်စီးမှုအဆို့ရှင် | > 700 မဂ္ဂါဝပ် / စင်တီမီတာ၂ 1064nm, 10ns, 10Hz (AR-coated) အတွက် |
| အထူးလိုအပ်ချက်ရှိသည့်ကုန်ပစ္စည်းများ။ | |
Nd ၏အကျိုးကျေးဇူးများ - YVO၄ (Nd: YAG နှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက)
•ကျယ်ပြန့်သောပို့လွှတ်နိုင်စွမ်း bandwidth 808 nm (Nd: YAG ထက် 5 ဆ)
•ပိုမိုကြီးမားသောလှုံ့ဆော်မှုထုတ်လွှတ်မှုအပိုင်းကို ၁၀၆၄nm (Nd: YAG ၏ ၃ ဆ) ဖြစ်သည်။
•လေဆာရောင်ခြည်ပျက်စီးမှုတံခါးခုံနှင့်ဆင်ခြေလျှောထိရောက်မှုနိမ့်ခြင်း
• Nd: YAG, Nd: YVO နှင့်မတူပါ၄ အပူလွန်ကဲစေသော birefringence မလိုအပ်ဘဲ lineari polarized ထုတ်လွှတ်မှုပေးသော uniaxial crystal ဖြစ်သည်။
Nd ၏လေဆာဂုဏ်သတ္တိများ: YVO၄ vs Nd: YAG
|
Crystal |
doping （atm%） |
σ |
α (စင်တီမီတာ-1) |
τ (μs) |
Lα (မီလီမီတာ) |
Pth (မဂ္ဂါဝပ်) |
ηs (%) |
|
Nd: YVO၄ |
၁.၀ |
၂၅ |
၃၁.၂ |
၉၀ |
၀.၃၂ |
၃၀ |
52 |
|
၂.၀ |
၂၅ |
၇၂.၄ |
၅၀ |
၀.၁၄ |
၇၈ |
၄၈.၆ |
|
|
Nd: YVO၄ |
၁.၁ |
၇ |
၉.၂ |
၉၀ |
- |
231 |
၄၅.၅ |
|
Nd: YAG |
၀.၈၅ |
၆ |
၇.၁ |
230 |
၁.၄၁ |
115 |
၃၈.၆ |
| σ - လှုံ့ဆော်သောထုတ်လွှတ်မှုအပိုင်းကိုα - စုပ်ယူကိန်း၊ τ - ချောင်းသက်တမ်း Lα - စုပ်ယူအရှည်, P ကိုth - တံခါးခုံပါဝါ, ηs - ကွမ်တမ်ထိရောက်မှု pump |
|||||||
ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများ - Nd: YVO၄
| အနုမြူသိပ်သည်းဆ | 1.26x10၂၀ အက်တမ် / စင်တီမီတာ၂ (Nd% = ၁.၀%) |
| Crystal ဖွဲ့စည်းပုံ | Zircon tetragon, အာကာသအုပ်စု D၄ နာရီ-I4 / AMD က = ခ = 7.1193 '', က c = 6.2892 '' |
| သိပ်သည်းဆ | 4,22 ဂရမ် / စင်တီမီတာ၂ |
| Mohs ခိုင်မာသော | ၄.၆ ~ ၅ (ဖန်ခွက်ကဲ့သို့) |
| အပူချဲ့ထွင်နိုင်သည့်ကိန်း (300K) | αက= 4.43x10-6/ K သည်αဂ= 11.37x10-6/ K |
| အပူကူးမှုကိန်း (300K) | || က c: 5,23 W / (မီတာ· K သည်); ⊥c: 5.10 W / (m · K) |
| အရည်ပျော်မှတ် | ၁၈၂၀ ℃ |
optical ဂုဏ်သတ္တိများ - Nd: YVO၄
| လှိုင်းအလျား lasing | 914 nm, 1064 nm, 1342 nm |
| အလင်းယိုင်ညွှန်းကိန်း | အပြုသဘော uniaxial, no= nက= nခ ဎင= nဂ ဎo= 1.9573, nင= 2,16652 @ 1064 nm ဎo= 1.9721, nင= 2,1885 @ 808 nm ဎo= 2,0210, nင= 2,2560 @ 532 nm |
| အပူ optical ကိန်း (300K) | dno/dT=8.5x10-6/ K သည်, dnင/dT=3.0x10-6/ K |
| ထုတ်လွှတ် Cross- အပိုင်းလှုံ့ဆော် | 25.0x10-19 စင်တီမီတာ၂ @ 1064 nm |
| ချောင်းတစ်သက်တာ | ၉၀ 808 nm @ μs (1.0at% Nd doped) |
| စုပ်ယူကိန်း | 31.4 စင်တီမီတာ-1 @ 808 nm |
| စုပ်ယူအလျား | 0,38 မီလီမီတာ @ 808 nm |
| အခ်ါဆုံးရှုံးမှု | ၀.၀၂ စင်တီမီတာ-1 @ 1064 nm |
| bandwidth ကိုရရှိမည် | 1064 nm @ 0,96 nm (257 GHz) |
| polarized လေဆာထုတ်လွှတ်မှု | optic axis (c-axis) နှင့်အပြိုင်။ |
| diode optical ထိရောက်မှုမှ optical pumped | > ၆၀% |
|
Polarized ထုတ်လွှတ်မှု |
Polarized |
