1976 ခုနှစ်တွင် Zumsteg et al. Rubidium titanyl phosphate (RbTiOPO) ကြီးထွားရန် ရေအားလျှပ်စစ်နည်းလမ်းကို အသုံးပြုခဲ့သည်။₄RTP) crystal လို့လည်းခေါ်တယ်။ RTP crystal သည် orthorhombic system ဖြစ်ပြီး၊ မီလီမီတာအမှတ် ၂ အုပ်စု၊ P_na21 space group၊ ကြီးမားသော electro-optical coefficient ၊ high light damage threshold ၊ low conductivity ၊ wide transmission range ၊ non-deliquescent ၊ low insertion loss နှင့် high repetition frequency (100 အထိ အသုံးပြုနိုင်သည် kHz)၊ စသည်တို့. ပြင်းထန်သော လေဆာရောင်ခြည်ဖြာထွက်မှုအောက်တွင် မီးခိုးရောင်အမှတ်အသားများ ရှိမည်မဟုတ်ပါ။ မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း၊ ၎င်းသည် ထပ်တလဲလဲနှုန်းမြင့်မားသော လေဆာစနစ်များအတွက် အထူးသင့်လျော်သော electro-optic Q-switches ပြင်ဆင်ခြင်းအတွက် ရေပန်းစားသော ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်လာသည်။.

RTP ၏ ကုန်ကြမ်းများသည် အရည်ပျော်သွားသောအခါ ပြိုကွဲသွားပြီး သမားရိုးကျ အရည်ကျိုဆွဲနည်းများဖြင့် စိုက်ပျိုးမရနိုင်ပါ။ အများအားဖြင့်၊ အရည်ပျော်မှတ်ကို လျှော့ချရန်အတွက် flux များကို အသုံးပြုကြသည်။ ကုန်ကြမ်းများတွင် flux အမြောက်အမြားထပ်ထည့်ခြင်းကြောင့်၊’ကြီးမားသောအရွယ်အစားနှင့် အရည်အသွေးမြင့် RTP ကို ​​ကြီးထွားရန် အလွန်ခက်ခဲသည်။ 1990 ခုနှစ်တွင် Wang Jiyang နှင့် အခြားသူများသည် အရောင်မဲ့၊ ပြီးပြည့်စုံပြီး တစ်ပြေးညီဖြစ်သော RTP ပုံဆောင်ခဲ 15 ခုရရှိရန် self-service flux နည်းလမ်းကို အသုံးပြုခဲ့သည်။ မီလီမီတာ×44 မီလီမီတာ×34 mm နှင့် ၎င်း၏ စွမ်းဆောင်ရည်အပေါ် စနစ်တကျ လေ့လာမှု ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ 1992 ခုနှစ်တွင် Oseledchiket al. အရွယ်အစား 30 ရှိသော RTP ပုံဆောင်ခဲများ ကြီးထွားရန်အတွက် အလားတူ self-service flux နည်းလမ်းကို အသုံးပြုခဲ့သည်။ မီလီမီတာ×40 မီလီမီတာ×60 မီလီမီတာနှင့် မြင့်မားသော လေဆာပျက်စီးမှုအဆင့်။ 2002 ခုနှစ်တွင် Kannan et al. MoO ပမာဏ အနည်းငယ်ကို အသုံးပြုခဲ့သည်။₃ (၀.၀၀၂ mol%) သည် အရည်အသွေးမြင့် RTP ပုံဆောင်ခဲများကို ကြီးထွားရန်အတွက် ထိပ်စေ့နည်းလမ်းတွင် စီးဆင်းမှုအဖြစ် အရွယ်အစား 20 ခန့်၊ မီလီမီတာ 2010 ခုနှစ်တွင် Roth နှင့် Tseitlin တို့သည် ထိပ်တန်းမျိုးစေ့နည်းလမ်းကို အသုံးပြု၍ အရွယ်အစားကြီးမားသော RTP ကို ​​ကြီးထွားရန်အတွက် [100] နှင့် [010] ဦးတည်မျိုးစေ့များကို အသီးသီး အသုံးပြုခဲ့သည်။

ပြင်ဆင်မှုနည်းလမ်းများနှင့် electro-optical ဂုဏ်သတ္တိများတူညီသည့် KTP ပုံဆောင်ခဲများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက RTP ပုံဆောင်ခဲများ၏ ခံနိုင်ရည်မှာ ပြင်းအား 2 မှ 3 အထိ ပိုများသည် (10⁸ Ω·စင်တီမီတာ) ထို့ကြောင့် RTP ပုံဆောင်ခဲများကို EO Q-switching applications များအဖြစ် electrolytic ပျက်စီးမှုပြဿနာများမရှိဘဲ အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ 2008 တွင် Shaldinet al. ခံနိုင်ရည် ၀.၅ ခန့်ရှိသော ဒိုမိန်းတစ်ခုတည်း RTP ပုံဆောင်ခဲကို ကြီးထွားစေရန် ထိပ်တန်းမျိုးစေ့နည်းလမ်းကို အသုံးပြုခဲ့သည်။×10¹² Ω·စင်တီမီတာ၊ အလင်းဝင်ပေါက်ပိုကြီးသော EO Q-switches အတွက် အလွန်အကျိုးရှိသည်။ 2015 ခုနှစ်တွင် Zhou Haitaoet al. ဝင်ရိုးအရှည် 20 ထက်ကြီးသော RTP ပုံဆောင်ခဲများကို အစီရင်ခံပါသည်။ မီလီမီတာကို ဟိုက်ဒရိုအပူနည်းဖြင့် ကြီးထွားလာပြီး ခံနိုင်ရည်မှာ 10 ဖြစ်သည်။¹¹~၁၀¹² Ω·စင်တီမီတာ။ RTP crystal သည် biaxial crystal ဖြစ်သောကြောင့် EO Q- switch အဖြစ်အသုံးပြုသောအခါ LN crystal နှင့် DKDP crystal တို့နှင့် ကွဲပြားပါသည်။ အတွဲတွင် RTP တစ်ခုသည် 90 လှည့်ရပါမည်။°အလင်း၏ဦးတည်ချက်တွင် သဘာဝ ဘောင်ခတ်ခြင်းအတွက် လျော်ကြေးပေးရန်။ ဤဒီဇိုင်းသည် သလင်းကျောက်ကိုယ်နှိုက်၏ မြင့်မားသော အလင်းပြန်မှုတူညီမှုကို လိုအပ်ရုံသာမက Q-switch ၏ မြင့်မားသော မျိုးသုဉ်းခြင်းအချိုးကို ရရှိရန် တတ်နိုင်သမျှ နီးစပ်ရန် ကျောက်ဆောင်နှစ်ခု၏ အရှည်ကိုလည်း လိုအပ်ပါသည်။

အရမ်းကောင်းတဲ့အဖြစ် EO မေး - ခလုတ်ထောင်း ပစ္စည်းနှင့်အတူ ကြိမ်နှုန်းမြင့် RTP ပုံဆောင်ခဲs အရွယ်အစား ကန့်သတ်ချက်ကြောင့် ကြီးကြီးမားမား မဖြစ်နိုင်ပါဘူး။ အလင်းဝင်ပေါက် ရှင်းပါတယ်။ (လုပ်ငန်းသုံးထုတ်ကုန်များ၏ အမြင့်ဆုံးအလင်းဝင်ပေါက်သည် 6 မီလီမီတာသာရှိသည်။). ထို့ကြောင့် RTP crystals ၏ပြင်ဆင်မှု အတူ ကြီးမားသောအရွယ်အစားနှင့်အရည်အသွေးမြင့်မား အပြင် ကိုက်ညီသော နည်းပညာ ၏ RTP အတွဲများ လိုအပ်နေပါသေးတယ်။ ကြီးမားသောပမာဏ သုတေသနအလုပ်.